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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FDW2521C_NL
FDW2521C_NL PDF预览

FDW2521C_NL

更新时间： 2024-11-23 13:07:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 250K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-153AA, TSSOP-8

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FDW2521C_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSSOP包装说明：TSSOP-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.33
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：0.021 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-153AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDW2521C_NL 数据手册

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July 2008  
FDW2521C  
Complementary PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This complementary MOSFET device is produced using  
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has  
been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
•
Q1: N-Channel  
5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 21 mΩ @ VGS = 4.5 V  
RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = 2.5 V  
•
Q2: P-Channel  
Applications  
–3.8 A, 20 V. RDS(ON) = 43 mΩ @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = –2.5 V  
• DC/DC conversion  
• Power management  
• Load switch  
•
•
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Low profile TSSOP-8 package  
G
2
S
Q1  
Q2  
2
1
2
3
4
8
7
6
5
S
2
D
2
G
1
S
1
S
1
D
1
TSSOP-8  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
20  
±12  
5.5  
30  
–20  
±12  
–3.8  
–30  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.0  
0.6  
W
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
125  
208  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2521C  
FDW2521C  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDW2521C Rev D1(W)  
2008 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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