是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 0.93 |
雪崩能效等级(Eas): | 33 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 22 A | 最大漏极电流 (ID): | 18 A |
最大漏源导通电阻: | 0.005 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MO-240AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 36 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDMS8050 | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,200A,0.65mΩ | |
FDMS8050ET30 | ONSEMI |
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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V,423A,0.65mΩ | |
FDMS8090 | FAIRCHILD |
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PowerTrench® Power Stage 100 V Symmetric Dua | |
FDMS8090 | ONSEMI |
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100V 对称双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET 40A,13mΩ | |
FDMS8095AC | ONSEMI |
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双 N 和 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V | |
FDMS8320L | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 100 A, 1 | |
FDMS8320L | ONSEMI |
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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,248A,1.1mΩ | |
FDMS8320LDC | FAIRCHILD |
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DUAL COOL⢠PACKAGE POWERTRENCH® MOSFETs | |
FDMS8320LDC | ONSEMI |
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N 沟道双 CoolTM 56 Power Trench® MOSFET 40V,192A | |
FDMS8333 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |