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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDMS8025S
FDMS8025S PDF预览

FDMS8025S

更新时间： 2024-09-25 12:33:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 286K
描述
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM

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FDMS8025S 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：QFN
包装说明：ROHS COMPLIANT, POWER 56, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：1503163Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category：Other
Samacsys Footprint Name：PQFN8 5X6, 1.27P CASE 483AE ISSUE A FFWSamacsys Released Date：2018-10-28 02:53:08
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：66 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：49 A
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.0028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MO-240AA
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDMS8025S 数据手册

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August 2010  
FDMS8025S  
N-Channel PowerTrench® SyncFETTM  
30 V, 49 A, 2.8 mΩ  
Features  
General Description  
The FDMS8025S has been designed to minimize losses in  
power conversion application. Advancements in both silicon and  
package technologies have been combined to offer the lowest  
rDS(on) while maintaining excellent switching performance.This  
device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky  
body diode.  
„ Max rDS(on) = 2.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 24 A  
„ Max rDS(on) = 3.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 21 A  
„ Advanced package and silicon combination for low rDS(on) and  
high efficiency  
„ SyncFET Schottky Body Diode  
„ MSL1 robust package design  
„ 100% UIL tested  
Applications  
„ Synchronous Rectifier for DC/DC Converters  
„ Notebook Vcore/GPU low side switch  
„ Networking Point of Load low side switch  
„ Telecom secondary side rectification  
„ RoHS Compliant  
Bottom  
Top  
Pin 1  
D
D
D
G
5
6
7
8
4
3
2
1
S
S
S
G
S
S
S
D
D
D
D
D
Power 56  
MOSFET Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
30  
±20  
V
V
Drain Current -Continuous (Package limited)  
-Continuous (Silicon limited)  
-Continuous  
TC = 25°C  
C = 25°C  
49  
T
109  
ID  
A
TA = 25°C  
(Note 1a)  
(Note 3)  
(Note 1a)  
24  
-Pulsed  
100  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy  
Power Dissipation  
66  
mJ  
W
TC = 25°C  
TA = 25°C  
50  
PD  
Power Dissipation  
2.5  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJC  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
2.5  
50  
°C/W  
(Note 1a)  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
13 ’’  
Tape Width  
12 mm  
Quantity  
FDMS8025S  
FDMS8025S  
Power 56  
3000 units  
©2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMS8025S Rev.C1  
www.fairchildsemi.com  
1
12345678

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FDMS8025S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDMS8025S ONSEMI

功能相似

 30V N沟道PowerTrench® SyncFET™
BSC0902NSATMA1 INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
BSC0902NSIATMA1 INFINEON

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与FDMS8025S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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FDMS8050 ONSEMI

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 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，200A，0.65mΩ
FDMS8050ET30 ONSEMI

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FDMS8090 FAIRCHILD

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 		PowerTrench® Power Stage 100 V Symmetric Dua
FDMS8090 ONSEMI

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FDMS8095AC ONSEMI

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 		双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V
FDMS8320L FAIRCHILD

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 		N-Channel PowerTrench® MOSFET 40 V, 100 A, 1
FDMS8320L ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40V，248A，1.1mΩ

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