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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 32 A | 最大漏极电流 (ID)： | 32 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 58 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STB55NF06T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 60V - 0.015ヘ - 50A - D2PAK/I2PAK/TO |
|
| STP60NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220F |
|
| STP55NF06 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB5800 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| FDB5800 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，60V，80A，6mΩ |
|
| FDB5800_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDB600 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
|
| FDB601 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
|
| FDB602 | DEC |
获取价格 |
6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
|
| FDB6021P | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
|
| FDB6021PL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDB6021PL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| FDB6021PS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
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