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FDB5800

更新时间: 2024-09-25 22:27:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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7页 244K
描述
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

FDB5800 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:D2PAK
包装说明:ROHS COMPLIANT PACKAGE-3针数:2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.33
雪崩能效等级(Eas):652 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A最大漏极电流 (ID):80 A
最大漏源导通电阻:0.0126 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263ABJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):242 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

FDB5800 数据手册

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September 2005  
FDB5800  
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET  
60V, 80A, 7mΩ  
Features  
Applications  
„ rDS(ON) = 5.5m(Typ.), VGS = 5V, ID = 80A  
„ Motor/ Body Load Control  
„ High performance trench technology for extermely low  
„ ABS Systems  
Rdson  
„ Power Train Management  
„ Injection Systems  
„ Low Gate Charge  
„ High power and current handling capability  
„ Qualified to AEC Q101  
„ RoHS Compliant  
„ DC-DC Converters and Off-Line UPS  
D
GATE  
G
DRAIN  
(FLANGE)  
SOURCE  
S
TO-263AB  
FDB SERIES  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDB5800 Rev. A  
1
www.fairchildsemi.com  

FDB5800 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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