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FDB6021PS62Z

更新时间： 2024-01-16 18:41:09

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	80K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN

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FDB6021PS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDB6021PS62Z 数据手册

April 2001

PRELIMINARY

FDP6021P/FDB6021P

20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel power MOSFET uses Fairchild’s low

voltage PowerTrench process. It has been optimized for

power management applications.

• –28 A, –20 V. R_DS(ON)= 30 mΩ @ V_GS= 4.5 V

R_DS(ON)= 40 mΩ @ V_GS= 2.5 V

_DS(ON)= 65 mΩ @ V_GS= 1.8 V

Applications

• Critical DC electrical parameters specified at

• Battery management

• Load switch

elevated temperature

• High performance trench technology for extremely

• Voltage regulator

low R_DS(ON)

• 175°C maximum junction temperature rating

TO-263AB

FDB Series

TO-220

FDP Series

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–20

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 8

–28

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1)

–80

P_D

W°C

°C

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

0.25

Derate above 25°C

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_J, T_STG

–65 to +175

Thermal Characteristics

R_θJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

FDP6021P

Device

Reel Size

Tube

Tape width

n/a

24mm

Quantity

800 units

FDP6021P

FDB6021P

13”

FDP6021P/FDB6021P Rev B(W)

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDB6030	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB6030BL	ROCHESTER	获取价格	40A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3
FDB6030BL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB6030BL_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB6030BLL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FDB6030L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB6035AL	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDB6035ALL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FDB6035L	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDB6035LL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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