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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | D2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.21 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDB6030BL_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDB6030BLL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDB6030L | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| FDB6035AL | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET |
|
| FDB6035ALL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FDB6035L | FAIRCHILD |
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N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| FDB6035LL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| FDB603AL | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| FDB603ALL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| FDB604 | DEC |
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6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
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