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E5V0VBPD1A

更新时间： 2024-11-21 14:54:59

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先科 - SWST		二极管
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3页	200K
描述
静电保护二极管

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E5V0VBPD1A 数据手册

E5V0VBPD1A

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

• Low clamping voltage

• Low operating voltage

• Bi-direction high reliability

Anode

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

100

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

± 25

± 23

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

0.1

µA

Clamping Voltage

V_C

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 4 A, tp = 8/20 µs

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A , tp = 0.2/100 ns

at I_TLP= 16 A , tp = 0.2/100 ns

V_CL

16.7

31.6

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.65

R_DYN

1.24

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated : 16/09/2022 Rev:04

12 3

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