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E5V0VUD4G

更新时间： 2024-11-06 14:52:51

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先科 - SWST		二极管
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静电保护二极管

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E5V0VUD4G 数据手册

E5V0VUD4G

4-Channel Low Capacitance TVS Array

1. I/O1 2. GND 3. I/O2

4. I/O3 5. V_CC6. I/O4

SOT-26 Plastic package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

ESD per IEC 61000-4-2 (Air)

ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)

± 28

± 25

V_ESD

Operation Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

at Pin 1, 3, 4 or 6 to Gnd

Reverse Breakdown Voltage

at I_t= 1 mA, Pin 1, 3, 4 or 6 to Gnd

at I_t= 1 mA, V_CCto Gnd

6.5

10.5

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V, Pin 1, 3, 4 or 6 to Gnd

I_R

0.1

μA

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs, Pin 1, 3, 4 or 6 Pin to Pin Gnd

V_C

Clamping Voltage

at I_PP=5 A, tp = 8/20 µs, Pin 1, 3, 4 or 6 Pin to Pin Gnd

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Pin 1, 3, 4 or 6 I/O Pin to Pin Gnd

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Between I/O Pins

0.85

0.4

C_j

1 / 3

Dated: 03/08/2022 Rev : 03

12 3

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