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E5V0VBPD1A-AH

更新时间： 2025-08-03 14:54:27

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先科 - SWST		二极管
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4页	258K
描述
静电保护二极管

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E5V0VBPD1A-AH 数据手册

E5V0VBPD1A-AH

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

Anode

• Low clamping voltage

• Low operating voltage

• Bi-direction high reliability

• AEC-Q101 Qualified

• Halogen and Antimony Free(HAF), RoHS compliant

Transparent top view

Marking Code: 3T

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

Value

100

Unit

P_PK

I_PP

Air

Contact

± 25

± 23

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

0.1

µA

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 4 A, tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A , tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A , tp = 0.2/100 ns

V_CL

16.7

31.6

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.65

R_dyn

1.24

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4 A to I_TLP= 16 A .

1 / 4

Dated: 05/07/2021 Rev: 01

12 3 4

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