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E5V0VUDE4M

更新时间： 2024-11-21 14:54:47

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先科 - SWST		二极管
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3页	184K
描述
静电保护二极管

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E5V0VUDE4M 数据手册

E5V0VUDE4M

ESD Protection Diode

Features

• Protects up to two I/O lines & power line

• Low leakage current and clamping voltage

• Low capacitance

1. I/O1 2. GND 3. I/O2

4. I/O3 5. VCC 6. I/O4

SOT-563 Plastic package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 ℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

ESD Discharge (IEC61000-4-2)

I_PP

Air

Contact

± 25

± 20

V_ESD

Operation Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

℃

- 55 to + 125

- 55 to + 150

T_stg

Characteristics at T_a= 25 ℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Max.

Unit

Reverse Working Voltage

Between I/O lines to Gnd or I/O to I/O

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA , Between I/O lines to Gnd

at I_R= 1 mA , V_CCto Gnd

V_(BR)R

6.5

5.7

Reverse Current

at V_RWM= 5 V, Between I/O lines to Gnd or I/O to I/O

I_R

100

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A , tp = 8/20 µs , Between I/O to Gnd

at I_PP= 5 A , tp = 8/20 µs , Between I/O to Gnd

V_C

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz , Between I/O to Gnd

at V_R= 0 V, f = 1 MHz , Between I/O to I/O

C_j

0.8

0.4

1 / 3

Dated: 01/11/2022 Rev : 02

12 3

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