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E5V0VUP18B

更新时间： 2024-11-21 14:53:07

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先科 - SWST		二极管
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描述
静电保护二极管

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E5V0VUP18B 数据手册

E5V0VUP18B

ESD Protection Diode

Features

• Low leakage current

I/O

Pin 4

I/O

Pin 1

I/O

Pin 5

I/O

Pin 7

I/O

Pin 2

I/O

Pin 8

I/O

Pin 10

I/O

Pin 11

• Integrated 4 Pairs (8 Lines) high speed date

• Single connect , flow through routing

• Low capacitance

DFN5515-14 Plastic package

Pin 3, 6, 9, 12, 13, 14

Applications

• LCD/PDP TVs

• LCD/LED Monitors

• Notebook Computers

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

± 25

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 40 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

0.5

µA

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 2 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 4 A, tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

10.6

18.7

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.6

R_dyn

0.68

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 4

Dated：27/12/2021 Rev : 01

12 3 4

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