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E5V0VUP18D

更新时间： 2024-11-21 14:51:31

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先科 - SWST		二极管
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3页	222K
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静电保护二极管

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E5V0VUP18D 数据手册

E5V0VUP18D

ESD Protection Diode

Features

• ESD protected for 8 high speed I/O channels

• Low leakage current

• Low clamping voltage

• Low capacitance

7^O

GND

Pins 3,6,9,12,13,14

DFN5515-14 Plastic Package

I/O : 1.2.4.5.7.8.10.11

GND : 3.6.9.12.13.14

Applications

• Display port interface

• Thunderbolt interface

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

± 18

± 16

ESD per IEC 61000-4-2

V_ESD

Operation Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

at I/O Pin to GND

V_RWM

V_(BR)R

I_R

Reverse Breakdown Voltage

at I_t= 1 mA , I/O Pin to GND

Reverse Current

0.5

1.1

μA

at V_RWM= 5 V, I/O Pin to GND

Forward Voltage

at I_F= 15 mA

V_F

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 5 A, tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

10.6

18.7

Junction Capacitance

at V_R= 1 V, f = 1 MHz, Any I/O Pins to GND

at V_R= 1 V, f = 1 MHz, Between Any I/O Pins

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.65

0.35

R_dyn

0.68

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated：09/06/2023 Rev : 01

12 3

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