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E5V0VUD4MA

更新时间： 2024-11-06 14:52:51

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先科 - SWST		二极管
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3页	204K
描述
静电保护二极管

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E5V0VUD4MA 数据手册

E5V0VUD4MA

ESD Protection Diode

Features

• Low clamping voltage

• Low leakage current

1. I/O1 2. GND 3. I/O2

4. I/O3 5. VCC 6. I/O4

SOT-26 Plastic Package

Applications

• PCI Express

• PortableElectronics

• SATA and eSATA

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

ESD (IEC 61000-4-2)

V_ESD

± 30

125

Operation Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

℃

T_stg

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

I_R

µA

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

1.2

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to GND

at I_PP= 6 A, tp = 8/20 µs, Any I/O Pin to GND

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns, Any I/O to GND

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns, Any I/O to GND

V_CL

10.5

18.1

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Any I/O Pin to GND

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Between I/O Pins

C_j

0.7

0.35

Dynamic Resistance ¹⁾

R_dyn

0.63

Ω

Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4 A to I_TLP= 16 A.

1 / 3

Dated: 07/09/2023 Rev: 01

12 3

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