Datasheet > E5V0VUDW4B

E5V0VUDW4B

更新时间： 2023-12-06 20:03:55

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	218K
描述
静电保护二极管

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

E5V0VUDW4B 数据手册

E5V0VUDW4B

4-Channel Low Capacitance ESD Protection

Features

• Low leakage current

• Low capacitance

Applications

• Computer Peripherals

• Mobile Phones

• Digital Cameras

• Notebooks

1. I/O1 2. GND 3. I/O2

4. I/O3 5. NC 6. I/O4

SOT-363 Plastic package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

ESD per IEC 61000-4-2 (Air)

ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)

± 15

± 8

V_ESD

Operation Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

125

℃

T_stg

- 55 to + 150

℃

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

5.5

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 10 mA

V_(BR)R

μA

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

0.5

1.2

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 2 A, tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP= 16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

12.4

21.7

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.55

0.8

0.6

R_dyn

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 25/03/2022 Rev: 01

12 3

下载PDF

与E5V0VUDW4B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
E5V0VUDW4M	SWST	静电保护二极管	获取价格
E5V0VUKA2C	SWST	静电保护二极管	获取价格
E5V0VUKA2R	SWST	静电保护二极管	获取价格
E5V0VUKB2C	SWST	静电保护二极管	获取价格
E5V0VUKC2C	SWST	静电保护二极管	获取价格
E5V0VUKC2C-AH	SWST	静电保护二极管	获取价格