2025年8月5日消息，中国半导体装备领域迎来重大突破——璞璘科技（PRINANO）自主研发的中国首台半导体级步进式纳米压印光刻（NIL）系统PL-SR正式交付国内特色工艺客户。这一里程碑事件标志着我国在高端纳米压印光刻技术领域成功打破国外垄断，实现对10nm以下线宽工艺的自主掌控。

　　核心技术指标全球领先

　　璞璘PL-SR设备攻克了喷墨涂胶工艺的多项技术瓶颈，实现了三项突破性指标：平均残余层厚度＜10nm、残余层变化＜2nm、压印结构深宽比＞7:1，其工艺精度直接对标日本佳能同类设备。通过独创的模板面型控制系统和纳米压印光刻胶喷墨算法，设备最小可支持20mm×20mm压印模板的均匀拼接，最终可扩展至12英寸晶圆级超大模板生产。

　　全产业链验证成效显著

　　目前该设备已在存储芯片、硅基微显示器（oS）、硅光（SiPh）及先进封装（AVP）等四大领域完成研发验证。尤其值得注意的是，其＜10nm线宽能力将为国产3D NAND闪存、DRAM存储器等高端芯片的自主制造提供关键工艺支撑，有望显著降低对传统EUV光刻技术的依赖。

　　技术背景与行业意义

　　纳米压印光刻技术自1998年由美国Grant Wilson教授团队提出后，长期被日本佳能主导。璞璘科技通过自主创新，成功突破步进硬板非真空贴合、喷胶与薄胶压印等世界级难题，成为全球少数掌握该技术的企业之一。此次交付不仅填补了国内空白，更预示着中国半导体设备在"后摩尔时代"技术路线中已抢占先机，为下一代芯片制造提供了全新的国产化解决方案。

　　随着PL-SR设备的量产应用，中国半导体产业将加速向10nm以下工艺节点迈进，在存储芯片、硅光互联等新兴领域构建更完整的自主供应链。璞璘科技这一突破，堪称中国高端装备制造业"从跟跑到领跑"的典型范例。