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E5V0VUPG2D

更新时间： 2024-11-06 14:53:07

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先科 - SWST		二极管
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3页	201K
描述
静电保护二极管

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E5V0VUPG2D 数据手册

E5V0VUPG2D

ESD Protection Diode

Features

• Low capacitance

• Low clamping voltage

• Low leakage current

Bottom view

DFN1006-3H Plastic Package

1. I/O 2. I/O 3. GND

Bottom View

Applications

• Portable Electronics

• Notebooks

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

± 15

± 8

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

125

Operation Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

℃

- 55 to + 150

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Working Peak Reverse Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_R= 5 V

I_R

200

1.2

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A , tp = 8/20 µs, Any I/O Pins to GND

at I_PP= 4 A , tp = 8/20 µs, Any I/O Pins to GND

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns, Any I/O Pins to GND

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns, Any I/O Pins to GND

V_CL

10.9

18.4

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.6

R_dyn

0.63

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A.

1 / 3

Dated: 09/05/2023 Rev : 01

12 3

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