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E5V0VUPH2C-AH

更新时间： 2024-11-06 14:55:55

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先科 - SWST		二极管
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3页	202K
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静电保护二极管

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E5V0VUPH2C-AH 数据手册

E5V0VUPH2C-AH

ESD Protection Diode

Features

• AEC-Q101 Qualified

• Low clamping voltage

• Low operating voltage

• Halogen and Antimony Free(HAF),

RoHS compliant

Bottom view

DFN1006-3B Plastic Package

Bottom View

1. Cathode 2. Cathode 3. Anode

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

Value

Unit

P_PK

I_PP

3.5

Air

Contact

± 15

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

5.5

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

1.5

8.5

µA

Clamping Voltage

at I_PP= 3.5 A , tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

6.3

14.3

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.6

R_dyn

0.67

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated : 01/03/2023 Rev : 02

12 3

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