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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSEE30-12A
DSEE30-12A PDF预览

DSEE30-12A

更新时间： 2024-11-17 03:30:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 92K
描述
HiPerFRED Epitaxial Diode

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DSEE30-12A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-247AD
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：3.46
其他特性：UL RECOGNIZED, SNUBBER DIODE, FREE WHEELING DIODE应用：SOFT RECOVERY
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.03 µs
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

DSEE30-12A 数据手册

 浏览型号DSEE30-12A的Datasheet PDF文件第2页 
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION  
DSEE30-12A  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
IFAV = 30 A  
VRRM = 1200 V  
trr = 30 ns  
c
TO-247 AD  
V
V
RRMc  
VRRM  
V
Type  
1200  
600  
DSEE30-12A  
1
2
3
1
2
3
Symbol  
IFRMS  
Conditions  
Maximum Ratings  
60  
30  
A
A
I
FAVM c  
TC = 90°C; rectangular, d = 0.5  
IFSM  
EAS  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
200  
0.2  
A
Features  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 1.3 A; L = 180 µH  
mJ  
A
●
Planarpassivatedchips  
●
●
●
●
●
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
IAR  
VA = 1.5· VR typ.; f = 10 kHz; repetitive  
0.1  
TVJ  
-55...+175  
175  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
TVJM  
Tstg  
TL  
Ptot  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
TC = 25°C  
260  
165  
°C  
W
Applications  
●
Md  
Weight  
MountingTorque  
typical  
0.9/6 Nm/lb.in.  
Antiparallel diode for high frequency  
switching devices  
Antisaturation diode  
Snubber diode  
2
g
●
●
●
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
Inductive heating  
Uninterruptible power supplies (UPS)  
Ultrasonic cleaners and welders  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
●
typ.  
max.  
cd  
●
IR  
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 150°C VR = VRRM  
200  
2
µA  
mA  
●
●
e
VF  
IF = 30 A;  
TVJ = 125°C  
TVJ = 25°C  
1.75  
2.5  
V
V
Advantages  
Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
●
RthJC  
RthCH  
trr  
0.9  
K/W  
K/W  
0.25  
30  
●
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V  
ns  
●
Low IRM reduces:  
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
IRM  
VR = 100 V; IF = 50 A; -diF/dt = 100 A/µs  
TVJ = 100°C  
4
A
Notes  
●
Please see DSEP 30-06A Data Sheet  
Notes: Data given for TVJ = 25OC and per diode unless otherwise specified  
c Diodes connected in series  
forcharacteristiccurves.  
d Pulse test: pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
e Pulse test: pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2002 IXYS All rights reserved  
DS98962 (10/02)  
12

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DSEE30-12A 替代型号

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