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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOJ |
| 包装说明： | 0.400 INCH, SOJ-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.8 |
| 最长访问时间： | 20 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.415 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 220 |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 座面最大高度： | 3.7592 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C109BN-20VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 |
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| CY7C109BN-20VI | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C109BN-20VIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32 |
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| CY7C109BN-20ZC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C109BN-20ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| CY7C109BN-20ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
|
| CY7C109BN-20ZXCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32 |
|
| CY7C109BNL-15VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
|
| CY7C109D | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (128K x 8) Static RAM |
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| CY7C109D_11 | CYPRESS |
获取价格 |
1-Mbit (128 K × 8) Static RAM Low active powe |
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