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CY7C109D-10ZXIT

更新时间： 2024-11-20 21:20:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 797K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32

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CY7C109D-10ZXIT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TSOP1, TSSOP32,.8,20
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.53最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e4长度：18.4 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP32,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.003 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：8 mmBase Number Matches：1

CY7C109D-10ZXIT 数据手册

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CY7C109D  
CY7C1009D  
1-Mbit (128 K × 8) Static RAM  
1-Mbit (128  
K × 8) Static RAM  
(OE), and tri-state drivers.The eight input and output pins (I/O0  
through I/O7) are placed in a high-impedance state when:  
Features  
■ Pin- and function-compatible with CY7C109B/CY7C1009B  
■ Deselected (CE1 HIGH or CE2 LOW),  
■ Outputs are disabled (OE HIGH),  
■ High speed  
❐ tAA = 10 ns  
■ When the write operation is active (CE1 LOW, CE2 HIGH, and  
WE LOW)  
■ Low active power  
❐ ICC = 80 mA at 10 ns  
Write to the device by taking Chip Enable One (CE1) and Write  
Enable (WE) inputs LOW and Chip Enable Two (CE2) input  
HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O0 through I/O7) is then  
written into the location specified on the address pins (A0 through  
■ Low CMOS standby power  
❐ ISB2 = 3 mA  
■ 2.0 V Data Retention  
■ Automatic power-down when deselected  
■ TTL-compatible inputs and outputs  
■ Easy memory expansion with CE1, CE2 and OE options  
A16).  
Read from the device by taking Chip Enable One (CE1) and  
Output Enable (OE) LOW while forcing Write Enable (WE) and  
Chip Enable Two (CE2) HIGH. Under these conditions, the  
contents of the memory location specified by the address pins  
appears on the I/O pins.  
■ CY7C109D available in Pb-free 32-pin 400-Mil wide Molded  
SOJ and 32-pin TSOP I packages. CY7C1009D available in  
Pb-free 32-pin 300-Mil wide Molded SOJ package  
The CY7C109D/CY7C1009D device is suitable for interfacing  
with processors that have TTL I/P levels. It is not suitable for  
processors that require CMOS I/P levels. Please see Electrical  
Characteristics on page 4 for more details and suggested  
alternatives.  
Functional Description  
[1]  
The CY7C109D/CY7C1009D  
is a high-performance CMOS  
static RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE1), an  
active HIGH Chip Enable (CE2), an active LOW Output Enable  
For a complete list of related documentation, click here.  
Logic Block Diagram  
IO  
0
INPUT BUFFER  
IO  
1
A
0
A
1
IO  
2
A
2
128K x 8  
ARRAY  
A
A
A
A
A
A
IO  
3
3
4
5
6
7
8
IO  
4
IO  
5
IO  
6
IO  
POWER  
DOWN  
7
CE  
CE  
COLUMN DECODER  
1
2
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 38-05468 Rev. *J  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised January 16, 2015  
 
1234567...16

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CY7C109D-10ZXIT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C109D-10ZXI CYPRESS

完全替代

 1-Mbit (128K x 8) Static RAM

与CY7C109D-10ZXIT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C109D-12VXC CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-32
CY7C109D-12VXI CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-32
CY7C109D-12ZXC CYPRESS

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 		Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, LEAD FREE, TSOP1-32
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 		Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
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