是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.8 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 128KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | SOJ32,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.0002 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1141V18 | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1141V18-300BZC | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1141V18-300BZI | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1141V18-300BZXC | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1141V18-300BZXI | CYPRESS |
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18-Mbit QDR⑩-II+ SRAM 4-Word Burst Architectu | |
CY7C1141V18-333BZI | CYPRESS |
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QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 | |
CY7C1141V18-333BZXI | CYPRESS |
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QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FPBG | |
CY7C1141V18-375BZC | CYPRESS |
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QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FPBGA-165 | |
CY7C1141V18-375BZXI | CYPRESS |
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QDR SRAM, 2MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FPBG | |
CY7C1143KV18 | CYPRESS |
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18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Archite |