是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2-54 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.74 | 最长访问时间: | 12 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22.415 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP54,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 235 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.05 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.275 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C1069BV33-12ZC | CYPRESS |
完全替代 |
16-Mbit (2M x 8) Static RAM | |
CY7C1061AV33-12ZI | CYPRESS |
完全替代 |
1M x 16 Static RAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1061AV33-12ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 | |
CY7C1061AV33-12ZI | CYPRESS |
获取价格 |
1M x 16 Static RAM | |
CY7C1061AV33-12ZXC | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (1M x 16) Static RAM | |
CY7C1061AV33-12ZXI | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (1M x 16) Static RAM | |
CY7C1061AV33-12ZXIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX16, 12ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54 | |
CY7C1061AV33-8BAC | CYPRESS |
获取价格 |
1M x 16 Static RAM | |
CY7C1061AV33-8BAI | CYPRESS |
获取价格 |
1M x 16 Static RAM | |
CY7C1061AV33-8ZC | CYPRESS |
获取价格 |
1M x 16 Static RAM | |
CY7C1061AV33-8ZI | CYPRESS |
获取价格 |
1M x 16 Static RAM | |
CY7C1061BV33 | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (1M x 16) Static RAM |