是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | VFBGA, BGA48,6X8,30 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 10 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 9.5 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | VFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1 mm |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.175 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY7C1061DV33-10BVJXI | CYPRESS |
完全替代 |
Standard SRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 8 X 9.50 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1061DV33-10BVXI | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (1M x 16) Static RAM | |
CY7C1061DV33-10ZSXI | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (1M x 16) Static RAM | |
CY7C1061DV33-10ZXI | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (1M x 16) Static RAM | |
CY7C1061G | CYPRESS |
获取价格 |
16-Mbit (1 M words à 16 bit) Static RAM with | |
CY7C1061G-10BV1XI | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1061G-10BV1XIT | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1061G-10BVJXI | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1061G-10BVJXIT | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1061G-10BVXI | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM | |
CY7C1061G-10BVXIT | INFINEON |
获取价格 |
Asynchronous SRAM |