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CY7C1061BV33-12ZI

更新时间： 2024-11-19 05:09:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 306K
描述
16-Mbit (1M x 16) Static RAM

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CY7C1061BV33-12ZI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2-54
针数：54Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.55最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G54
JESD-609代码：e0长度：22.415 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：54
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP54,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：235
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY7C1061BV33-12ZI 数据手册

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CY7C1061BV33  
16-Mbit (1M x 16) Static RAM  
Low Enable (BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O0  
through I/O7), is written into the location specified on the  
address pins (A0 through A19). If Byte High Enable (BHE) is  
LOW, then data from I/O pins (I/O8 through I/O15) is written into  
the location specified on the address pins (A0 through A19).  
Features  
• High speed  
— tAA = 10 ns  
• Low active power  
Reading from the device is accomplished by enabling the chip  
by taking CE LOW while forcing the Output Enable (OE) LOW  
and the Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is  
LOW, then data from the memory location specified by the  
address pins will appear on I/O0 to I/O7. If Byte High Enable  
(BHE) is LOW, then data from memory will appear on I/O8 to  
I/O15. See the truth table at the back of this data sheet for a  
complete description of Read and Write modes.  
— 990 mW (max.)  
• Operating voltages of 3.3 ± 0.3V  
• 2.0V data retention  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Available in Pb-free and non Pb-free 54-pin TSOP II  
package  
The input/output pins (I/O0 through I/O15) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and BLE  
are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a Write operation  
(CE LOW and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C1061BV33 is a high-performance CMOS Static  
RAM organized as 1,048,576 words by 16 bits.  
The CY7C1061BV33 is available in a 54-pin TSOP II package  
with center power and ground (revolutionary) pinout.  
Writing to the device is accomplished by enabling the chip (CE  
LOW) while forcing the Write Enable (WE) input LOW. If Byte  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations[1, 2]  
54-pin TSOP II (Top View)  
I/O  
V
I/O  
I/O  
1
54  
53  
I/O  
V
11  
12  
CC  
INPUT BUFFER  
2
3
4
5
6
SS  
I/O  
52  
51  
50  
13  
14  
10  
A
0
I/O  
V
9
A
1
V
SS  
A
CC  
2
I/O  
49 I/O  
A
15  
8
3
I/O –I/O  
1M x 16  
ARRAY  
0
7
A
48  
47  
A
5
A
A
A
A
A
BHE  
4
7
4
3
A
5
A
8
6
I/O –I/O  
8
15  
A
6
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
A
7
9
2
A
7
A
10  
11  
12  
8
A
9
1
0
A
8
A
9
NC  
CE 13  
OE  
V
V
COLUMN  
DECODER  
CC  
SS  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
DNU/V  
BLE  
WE  
CC  
SS  
DNU/V  
A
19  
A
10  
A
18  
A
11  
BHE  
WE  
A
A
A
A
13  
17  
16  
15  
12  
A
A
14  
CE  
I/O  
V
I/O  
V
OE  
BLE  
0
7
23  
24  
25  
26  
27  
CC  
SS  
I/O  
I/O  
6
5
1
2
I/O  
I/O  
V
V
CC  
SS  
I/O  
28 I/O  
3
4
Notes:  
1. DNU/V Pin (#16) has to be left floating or connected to V and DNU/V Pin (#40) has to be left floating or connected to V to ensure proper application.  
CC  
CC  
SS  
SS  
2. NC – No Connect Pins are not connected to the die  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05693 Rev. *B  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 3, 2006  
[+] Feedback  
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