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CY7C1069BV33-12ZC

更新时间： 2024-11-09 05:09:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
7页 302K
描述
16-Mbit (2M x 8) Static RAM

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CY7C1069BV33-12ZC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2-54
针数：54Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.64
最长访问时间：12 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G54JESD-609代码：e0
长度：22.415 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：54字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP54,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：235电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.26 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mm

CY7C1069BV33-12ZC 数据手册

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CY7C1069BV33  
16-Mbit (2M x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description  
• High speed  
The CY7C1069BV33 is a high-performance CMOS Static  
RAM organized as 2,097,152 words by 8 bits. Writing to the  
device is accomplished by enabling the chip (by taking CE  
LOW) and Write Enable (WE) inputs LOW.  
— tAA = 10 ns  
• Low active power  
— 990 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by enabling the chip  
(CE LOW) as well as forcing the Output Enable (OE) LOW  
while forcing the Write Enable (WE) HIGH. See the truth table  
at the back of this data sheet for a complete description of  
Read and Write modes.  
• Operating voltages of 3.3 ± 0.3V  
• 2.0V data retention  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
The input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a Write  
operation (CE LOW and WE LOW).  
• Available in Pb-free and non Pb-free 54-pin TSOP II  
package  
The CY7C1069BV33 is available in a 54-pin TSOP II package  
with center power and ground (revolutionary) pinout.  
Pin Configurations[1, 2]  
Logic Block Diagram  
54-pin TSOP II (Top View)  
INPUT BUFFER  
NC  
1
54  
53  
NC  
CC  
V
V
2
3
4
5
6
SS  
A
A
A
0
1
2
NC  
52  
51  
50  
NC  
I/O  
I/O  
6
5
V
A
V
SS  
3
4
CC  
I/O –I/O  
2M x 8  
0
7
A
I/O  
49 I/O  
7
4
ARRAY  
A
A
5
6
48  
47  
A
5
A
6
A
A
3
7
4
8
A
A
A
7
8
9
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
A
A
7
9
2
A
10  
11  
12  
13  
A
8
1
A
A
9
0
NC  
NC  
CE  
CC  
WE  
OE  
COLUMN  
DECODER  
V
V
SS  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
OE  
CE  
DNU/V  
WE  
CC  
SS  
A
20  
DNU/V  
A
19  
A
10  
A
18  
A
11  
A
17  
A
13  
12  
A
A
15  
16  
A
A
14  
I/O  
V
I/O  
V
0
3
CC  
SS  
24  
25  
26  
27  
I/O  
I/O  
2
1
NC  
NC  
V
V
CC  
SS  
NC  
NC  
Notes:  
1. DNU/V Pin (#16) has to be left floating or connected to V and DNU/V Pin (#40) has to be left floating or connected to V to ensure proper application.  
CC  
CC  
SS  
SS  
2. NC - No Connect Pins are not connected to the die.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05694 Rev. *B  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 3, 2006  
1234567

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CY7C1069BV33-12ZC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1061AV33-12ZI CYPRESS

完全替代

 1M x 16 Static RAM
CY7C1061AV33-12ZC CYPRESS

完全替代

 1M x 16 Static RAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1069BV33-12ZCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 2MX8, 12ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
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 		16-Mbit (2M x 8) Static RAM
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 		Standard SRAM, 2MX8, 12ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54
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 		Standard SRAM, 2MX8, 12ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54
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 		16-Mbit (2M x 8) Static RAM
CY7C1069DV33_07 CYPRESS

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 		16-Mbit (2M x 8) Static RAM
CY7C1069DV33-10BAXI CYPRESS

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 		Standard SRAM, 2MX8, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48

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