5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CY7C1069G30-10BVXI
CY7C1069G30-10BVXI PDF预览

CY7C1069G30-10BVXI

更新时间： 2024-12-01 00:52:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 614K
描述
16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM with Error-Correcting Code (ECC)

阅读下载

中文翻译

获取价格

CY7C1069G30-10BVXI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：VFBGA,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：2.37最长访问时间：10 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B48长度：8 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：1 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：6 mm

CY7C1069G30-10BVXI 数据手册

 浏览型号CY7C1069G30-10BVXI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C1069G30-10BVXI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1069G30-10BVXI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1069G30-10BVXI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1069G30-10BVXI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1069G30-10BVXI的Datasheet PDF文件第7页 
CY7C1069G  
CY7C1069GE  
16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM  
with Error-Correcting Code (ECC)  
16-Mbit (2M words  
× 8 bit) Static RAM with Error-Correcting Code (ECC)  
processor in the case of an ECC error-detection and correction  
event.  
Features  
■ High speed  
❐ tAA = 10 ns  
To write to the device, take Chip Enables (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and Write Enable (WE) input LOW. Data on the eight I/O  
pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location specified  
on the address pins (A0 through A20).  
■ Embedded error-correcting code (ECC) for single-bit error  
correction  
To read from the device, take Chip Enables (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and Output Enable (OE) LOW while forcing the Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of the  
memory location specified by the address pins will appear on the  
I/O pins. See Truth Table – CY7C1069G/CY7C1069GE on page  
14 for a complete description of Read and Write modes. The  
input and output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a high  
impedance state when the device is deselected (CE1 HIGH or  
CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE1 LOW, CE2 HIGH, and WE LOW).  
■ Low active and standby currents  
❐ ICC = 90 mA typical at 100 MHz  
❐ ISB2 = 20 mA typical  
■ Operating voltage range: 1.65 V to 2.2 V, 2.2 V to 3.6 V, 4.5 V  
to 5.5 V  
■ 1.0-V data retention  
■ Transistor-transistor logic (TTL) compatible inputs and outputs  
■ ERR pin to indicate 1-bit error detection and correction  
On CY7C1069GE devices, the detection and correction of a  
single-bit error in the accessed location is indicated by the  
■ Available in Pb-free 54-pin TSOP II, and 48-ball VFBGA  
packages  
assertion of the ERR output (ERR = High) [1]  
.
All I/Os (I/O0 through I/O7) are placed in a high impedance state  
when the device is deselected (CE1 HIGH or CE2 LOW), and  
control signals are de-asserted (CE1 / CE2, OE, WE).  
CY7C1069G and CY7C1069GE devices are available in a  
54-pin TSOP II package with center power and ground  
(revolutionary) pinout, and in a 48-ball VFBGA package.  
Functional Description  
The CY7C1069G and CY7C1069GE are dual chip enable  
high-performance CMOS fast static RAM devices with  
embedded ECC. The CY7C1069G device is available in  
standard pin configurations. The CY7C1069GE device includes  
a single bit error indication pin (ERR) that signals the host  
For a complete list of related documentation, here.  
Note  
1. Automatic write back on error detection feature is not supported in this device.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-81539 Rev. *J  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised December 5, 2017  
1234567...20

中文翻译

下载PDF

CY7C1069G30-10BVXI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1069G30-10BVXIT CYPRESS

完全替代

 16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM with E
CY7C1069DV33-10BVXI CYPRESS

类似代替

 16-Mbit (2M x 8) Static RAM

与CY7C1069G30-10BVXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1069G30-10BVXIT CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM with E
CY7C1069G30-10BVXIT INFINEON

获取价格

 		Asynchronous SRAM
CY7C1069G30-10ZSXI CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM with E
CY7C1069G30-10ZSXI INFINEON

获取价格

 		Asynchronous SRAM
CY7C1069G30-10ZSXIT CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM with E
CY7C1069G30-10ZSXIT INFINEON

获取价格

 		Asynchronous SRAM
CY7C1069GE CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM with E
CY7C1069GE30-10ZSXI CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 2MX8, 10ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
CY7C1069GE30-10ZSXI INFINEON

获取价格

 		Asynchronous SRAM
CY7C1069GE30-10ZSXIT CYPRESS

获取价格

 		16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM with E

与CY7C1069G30-10BVXI相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证