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CY7C1069BV33-12ZXI PDF预览

CY7C1069BV33-12ZXI

更新时间： 2024-11-09 05:09:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 302K
描述
16-Mbit (2M x 8) Static RAM

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CY7C1069BV33-12ZXI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：54Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.61Is Samacsys：N
最长访问时间：12 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G54
长度：22.415 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：54
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1069BV33-12ZXI 数据手册

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CY7C1069BV33  
16-Mbit (2M x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description  
• High speed  
The CY7C1069BV33 is a high-performance CMOS Static  
RAM organized as 2,097,152 words by 8 bits. Writing to the  
device is accomplished by enabling the chip (by taking CE  
LOW) and Write Enable (WE) inputs LOW.  
— tAA = 10 ns  
• Low active power  
— 990 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by enabling the chip  
(CE LOW) as well as forcing the Output Enable (OE) LOW  
while forcing the Write Enable (WE) HIGH. See the truth table  
at the back of this data sheet for a complete description of  
Read and Write modes.  
• Operating voltages of 3.3 ± 0.3V  
• 2.0V data retention  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
The input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a Write  
operation (CE LOW and WE LOW).  
• Available in Pb-free and non Pb-free 54-pin TSOP II  
package  
The CY7C1069BV33 is available in a 54-pin TSOP II package  
with center power and ground (revolutionary) pinout.  
Pin Configurations[1, 2]  
Logic Block Diagram  
54-pin TSOP II (Top View)  
INPUT BUFFER  
NC  
1
54  
53  
NC  
CC  
V
V
2
3
4
5
6
SS  
A
A
A
0
1
2
NC  
52  
51  
50  
NC  
I/O  
I/O  
6
5
V
A
V
SS  
3
4
CC  
I/O –I/O  
2M x 8  
0
7
A
I/O  
49 I/O  
7
4
ARRAY  
A
A
5
6
48  
47  
A
5
A
6
A
A
3
7
4
8
A
A
A
7
8
9
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
A
A
7
9
2
A
10  
11  
12  
13  
A
8
1
A
A
9
0
NC  
NC  
CE  
CC  
WE  
OE  
COLUMN  
DECODER  
V
V
SS  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
OE  
CE  
DNU/V  
WE  
CC  
SS  
A
20  
DNU/V  
A
19  
A
10  
A
18  
A
11  
A
17  
A
13  
12  
A
A
15  
16  
A
A
14  
I/O  
V
I/O  
V
0
3
CC  
SS  
24  
25  
26  
27  
I/O  
I/O  
2
1
NC  
NC  
V
V
CC  
SS  
NC  
NC  
Notes:  
1. DNU/V Pin (#16) has to be left floating or connected to V and DNU/V Pin (#40) has to be left floating or connected to V to ensure proper application.  
CC  
CC  
SS  
SS  
2. NC - No Connect Pins are not connected to the die.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05694 Rev. *B  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 3, 2006  
1234567

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与CY7C1069BV33-12ZXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1069BV33-12ZXIT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 2MX8, 12ns, CMOS, PDSO54, LEAD FREE, TSOP2-54
CY7C1069DV33 CYPRESS

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 		16-Mbit (2M x 8) Static RAM
CY7C1069DV33_07 CYPRESS

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 		16-Mbit (2M x 8) Static RAM
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 		Standard SRAM, 2MX8, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-48
CY7C1069DV33-10BVXI CYPRESS

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 		16-Mbit (2M x 8) Static RAM
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 		Standard SRAM, 2MX8, 10ns, CMOS, PBGA48, 8 X 9.50 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48
CY7C1069DV33-10ZSXI CYPRESS

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 		16-Mbit (2M x 8) Static RAM
CY7C1069DV33-10ZSXIT CYPRESS

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 		暂无描述
CY7C1069DV33-10ZXI CYPRESS

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CY7C1069G CYPRESS

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 		16-Mbit (2M words × 8 bit) Static RAM with E

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