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CP608-CJD32C-WN

更新时间： 2024-11-18 05:13:03

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CP608-CJD32C-WN 数据手册

PROCESS CP608

Power Transistor

PNP - Amp/Switch Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

66 x 66 MILS

Die Size

Die Thickness

12.5 1.0 MILS

12 x 24 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

11 x 14 MILS

Al - 50,000Å

Cr/Ni/Ag - 16,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

2,630

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CJD32C

TIP32C

R5 (6-March 2013)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP608-CJD32C-WR	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-CJD32C-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-TIP32C	CENTRAL	获取价格	100V,3A,2W Bare die,66.000 X 66.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP608-TIP32C-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP608-TIP32C-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
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