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CP630

更新时间： 2024-09-30 03:26:23

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1页	37K
描述
Power Transistors PNP - Silicon Darlington Transistor Chip

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CP630 数据手册

PROCESS CP630

Power Transistors

PNP - Silicon Darlington Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL BASE

80 X 80 MILS

8 MILS

Die Size

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

18 X 27 MILS

34 X 34 MILS

Al - 30,000Å

Ti/Pd/Ag (20,000Å)

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

1,445

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CZT127

CJD127

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R0 (9 -May 2005)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP630_10	CENTRAL	获取价格	Power Transistor PNP - Silicon Darlington Transistor Chip
CP630-2N6036	CENTRAL	获取价格	4A,80V Bare die,80.000 X 80.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP630-CJD127-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CJD127-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CJD127-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CJD127-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CZT127	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP630-CZT127-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CZT127-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CZT127-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor