Datasheet > CP630-TIP127

CP630-TIP127

更新时间： 2024-11-17 18:29:19

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	592K
描述
Power Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CP630-TIP127 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	S-XUUC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	Base Number Matches：	1

CP630-TIP127 数据手册

CP630-TIP127

PNP - Darlington Transistor Die

5.0 Amp, 100 Volt

www.centralsemi.com

The CP630-TIP127 die is a silicon PNP Darlington power transistor designed for low speed

switching and ampliﬁer applications.

MECHANICAL SPECIFICATIONS:

Die Size

80 x 80 MILS

8.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Size

Emitter Bonding Pad Size

Top Side Metalization

Back Side Metalization

Scribe Alley Width

Wafer Diameter

18 x 27 MILS

34 x 34 MILS

Al - 30,000Å

Ti/Pd/Ag - 20,000Å

2.4 MILS

4 INCHES

Gross Die Per Wafer

1,445

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

Collector-Base Voltage

SYMBOL

UNITS

100

CBO

CEO

EBO

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

5.0

Continuous Collector Current

Peak Collector Current

5.0

8.0

Continuous Base Current

Operating and Storage Junction Temperature

120

°C

T , T

-65 to +150

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

UNITS

=100V

200

μA

CBO

CEO

EBO

=50V

500

2.0

ꢀA

=5.0V

I =100mA

100

CEO

CE(SAT)

BE(ON)

I =3.0A, I =12mA

2.0

4.0

2.5

I =5.0A, I =20mA

=3.0V, I =3.0A

=3.0V, I =500mA

1.0K

4.0

=3.0V, I =3.0A

=4.0V, I =3.0A, f=1.0MHz

MHz

=10V, I =0, f=100kHz

300

R0 (28-July 2016)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与CP630-TIP127相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP635-2N3791	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP645	CENTRAL	获取价格	Power Transistor PNP, 8.0A Power Transistor Chip
CP647-2N6287	CENTRAL	获取价格	20A,100V Bare die,211.000 X 211.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP647-MJ11015	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP-64-D-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-ST4	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-T	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-TP	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-S-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-S-2-T-ST3	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device