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CP645

更新时间： 2024-09-30 03:26:23

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CENTRAL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	33K
描述
Power Transistor PNP, 8.0A Power Transistor Chip

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CP645 数据手册

PROCESS CP645

Power Transistor

PNP, 8.0A Power Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

Die Size

MULTIEPITAXIAL MESA

120 x 145 MILS

13 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

20 x 45 MILS

14 x 70 MILS

Al - 50,000Å

Cr / Ni / Ag - 10,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

640

PRINCIPAL DEVICE TYPES

MJE15031

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R0 (4- April 2005)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP647-2N6287	CENTRAL	获取价格	20A,100V Bare die,211.000 X 211.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP647-MJ11015	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP-64-D-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-ST4	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-T	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-TP	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-S-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-S-2-T-ST3	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-S-2-T-ST4	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-S-2-T-ST8	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device