Datasheet > CP630-CZT127-WR

CP630-CZT127-WR

更新时间： 2024-09-30 19:44:51

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CP630-CZT127-WR 技术参数

PROCESS CP630

Power Transistor

PNP - Silicon Darlington Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

80 x 80 MILS

8.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

18 x 27 MILS

34 x 34 MILS

Al - 30,000Å

Ti/Pd/Ag - 20,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

1,445

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CZT127

CJD127

R2 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP630-TIP127	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP635-2N3791	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP645	CENTRAL	获取价格	Power Transistor PNP, 8.0A Power Transistor Chip
CP647-2N6287	CENTRAL	获取价格	20A,100V Bare die,211.000 X 211.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP647-MJ11015	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP-64-D-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-ST4	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-T	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-D-2-T-TP	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device
CP-64-S-2-T-ST2	SAMTEC	获取价格	Interconnection Device