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CP608-CJD32C-WR

更新时间： 2024-09-30 15:29:51
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2页 472K
描述
Transistor

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CP608-CJD32C-WR 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
Base Number Matches：1

CP608-CJD32C-WR 数据手册

 浏览型号CP608-CJD32C-WR的Datasheet PDF文件第2页 
PROCESS CP608  
Power Transistor  
PNP - Amp/Switch Transistor Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
66 x 66 MILS  
Die Size  
Die Thickness  
12.5 1.0 MILS  
12 x 24 MILS  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
11 x 14 MILS  
Al - 50,000Å  
Cr/Ni/Ag - 16,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
2,630  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CJD32C  
TIP32C  
R5 (6-March 2013)  
www.centralsemi.com  
12

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与CP608-CJD32C-WR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CP608-CJD32C-WS CENTRAL

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 		Transistor
CP608-TIP32C CENTRAL

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 		100V,3A,2W Bare die,66.000 X 66.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP608-TIP32C-CM CENTRAL

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 		Power Transistor PNP - Amp / Switch Transistor Chip

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