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CP624

更新时间： 2024-09-30 03:26:23

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CENTRAL		晶体晶体管可编程单结晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	223K
描述
Programmable Unijunction Transistor

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CP624 数据手册

PROCESS CP624

Programmable

Unijunction Transistor

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

PLANAR PASSIVATED

Die Size

Die Thickness

27.5 x 27.5 MILS

11 MILS

Anode Bonding Pad Area

Cathode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

7.1 x 5.1 MILS

Al - 30,000Å

Au - 13,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

14,930

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N6028

BACKSIDE GATE

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R3 (4- February 2004)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP624-2N6028	CENTRAL	获取价格	40V,150mA Bare die,27.560 X 27.560 mils,Programmable UJT
CP630	CENTRAL	获取价格	Power Transistors PNP - Silicon Darlington Transistor Chip
CP630_10	CENTRAL	获取价格	Power Transistor PNP - Silicon Darlington Transistor Chip
CP630-2N6036	CENTRAL	获取价格	4A,80V Bare die,80.000 X 80.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP630-CJD127-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CJD127-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CJD127-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CJD127-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP630-CZT127	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor,
CP630-CZT127-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor