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CP611-2N5955

更新时间： 2024-11-18 14:55:55
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5页 627K
描述
60V,6A,40W Bare die,99.000 X 80.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)

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CP611-2N5955 数据手册

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CP611-2N5955  
PNP - High Current Transistor Die  
6.0 Amp, 60 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP611-2N5955 is a silicon PNP transistor designed for and high current applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
80 x 99 MILS  
12.5 1.0 MILS  
12 x 32 MILS  
13 x 46 MILS  
Al – 50,000Å  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
Cr/Ni/Ag – 1,000Å/5,000Å/10,000Å  
6.5 MILS  
4 INCHES  
Gross Die Per Wafer  
1,450  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Collector-Base Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
70  
CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
70  
V
V
CEV  
CER  
CEO  
EBO  
V
65  
60  
V
V
V
5.0  
V
Continuous Collector Current  
Continuous Base Current  
Operating and Storage Junction Temperature  
I
6.0  
A
C
I
2.0  
A
B
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=65V, V =1.5V, R =100Ω  
100  
μA  
CEV  
CER  
CEO  
EBO  
CE  
CE  
CE  
BE  
BE BE  
=55V  
=45V  
=5.0V  
100  
1.0  
0.1  
μA  
mA  
mA  
V
BV  
BV  
BV  
I =100mA, V =1.5V, R =100Ω  
70  
65  
60  
CEV  
CER  
C
BE BE  
I =100mA, R =100Ω  
V
C
BE  
I =100mA  
V
CEO  
C
V
V
V
I =2.5A, I =250mA  
1.0  
2.0  
2.0  
100  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
B
I =6.0A, I =1.2A  
V
C
B
V
=4.0V, I =2.5A  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
C
h
h
h
V
V
V
V
=4.0V, I =2.5A  
20  
5.0  
25  
C
=4.0V, I =6.0A  
FE  
C
=4.0V, I =0.5A, f=1.0kHz  
fe  
C
f
=4.0V, I =1.0A, f=1.0MHz  
5.0  
MHz  
T
C
R1 (9-June 2017)  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CP611-2N6107 CENTRAL

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 		70V,7A,40W Bare die,99.000 X 80.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP611-CJD42C-CG CENTRAL

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 		Transistor
CP611-TIP42C CENTRAL

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 		100V,6A,2W Bare die,99.000 X 80.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP611-TIP42C-CG CENTRAL

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CP613V-J176 CENTRAL

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CP616-CM5160 CENTRAL

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CP617-CM4957 CENTRAL

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 		Small Signal Transistor PNP - Silicon RF Transistor Chip

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