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CP618-CM5583

更新时间： 2024-11-17 14:48:35
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4页 539K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor,

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CP618-CM5583 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
Base Number Matches：1

CP618-CM5583 数据手册

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CP618-CM5583  
PNP - RF Transistor Die  
0.5 Amp, 30 Volt  
www.centralsemi.com  
The CP618-CM5583 is a silicon PNP RF transistor designed for high frequency amplifier and  
non-saturated switching applications.  
MECHANICAL SPECIFICATIONS:  
Die Size  
21.7 x 21.7 MILS  
9.0 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Size  
Emitter Bonding Pad Size  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
Scribe Alley Width  
Wafer Diameter  
3.2 MILS DIAMETER  
3.35 x 3.35 MILS  
Al – 10,000Å  
Au – 10,000Å  
2.5 MILS  
E
B
4 INCHES  
BACKSIDE COLLECTOR  
R0  
Gross Die Per Wafer  
23,990  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
30  
30  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
3.0  
Continuous Collector Current  
I
0.5  
A
C
Operating and Storage Junction Temperature  
T , T  
-65 to +150  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
V
=20V  
50  
nA  
CBO  
CB  
I
V
=2.0V  
500  
nA  
V
EBO  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =10μA  
30  
30  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
C
I =10mA  
V
C
I =100μA  
3.0  
V
E
V
V
I =100mA, I =10mA  
0.8  
1.8  
V
C
B
V
=2.0V, I =100mA  
V
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
CB  
C
h
h
h
V
V
V
V
V
V
V
V
=2.0V, I =40mA  
20  
25  
C
=2.0V, I =100mA  
100  
FE  
C
=5.0V, I =300mA  
15  
FE  
C
f
f
=10V, I =40mA, f=100MHz  
1000  
1300  
MHz  
MHz  
pF  
T
C
=10V, I =100mA, f=100MHz  
T
C
C
=15V, I =0, f=100kHz  
5.0  
70  
cb  
E
C
=0.5V, I =0, f=100kHz  
pF  
eb  
C
rb’C  
=10V, I =50mA, f=63.6MHz  
8.0  
2.5  
4.5  
3.5  
5.0  
ps  
c
C
t
t
t
t
ns  
d
r
V
=31.4V, I =150mA,  
ns  
CC  
C
R =160Ω, R =26.6Ω  
ns  
s
f
C
E
ns  
R0 (26-July 2016)  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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