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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | 雪崩能效等级（Eas）： | 450 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 21 A | 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 84 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUZ30A-E3046 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ30AH | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ30AH3045A | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ30AH3045AATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ30AHXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ30ASMD | INFINEON |
获取价格 |
SIPMOS Power Transistor |
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| BUZ30ASMDG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BUZ31 | INFINEON |
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SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) |
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| BUZ31 | COMSET |
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POWER MOS TRANSISTORS |
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| BUZ31 | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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