5秒后页面跳转
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 200 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 10 |
| JEDEC-95代码： | TO-204AA | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 2200 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 800 ns | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUV11/D | ETC |
获取价格 |
SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
|
| BUV11N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-204AA |
|
| BUV12 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package |
|
| BUV18 | SEME-LAB |
获取价格 |
NPN HIGH CURENT SWITCHING TRANSISTORS |
|
| BUV18 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| BUV18A | MOTOROLA |
获取价格 |
80A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AE |
|
| BUV18X | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 |
|
| BUV19 | SEME-LAB |
获取价格 |
NPN HIGH CURENT SWITCHING TRANSISTORS |
|
| BUV19 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-3 |
|
| BUV20 | ONSEMI |
获取价格 |
SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
