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BUV11N

更新时间: 2024-02-02 14:22:39
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-204AA

BUV11N 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):20 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-609代码:e0最高工作温度:200 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):150 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT):8 MHz
Base Number Matches:1

BUV11N 数据手册

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