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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK462-60A-T
BUK462-60A-T PDF预览

BUK462-60A-T

更新时间： 2024-09-15 12:59:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
TRANSISTOR 15 A, 60 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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BUK462-60A-T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：30 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：100 pF
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：90 ns
最大开启时间（吨）：59 nsBase Number Matches：1

BUK462-60A-T 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistor  
BUK462-60A  
mGENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope suitable for surface  
mount applications.  
The device is intended for use in  
Switched Mode Power Supplies  
(SMPS), motor control, welding,  
DC/DC and AC/DC converters, and  
in automotive and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
resistance  
60  
15  
60  
175  
0.13  
V
A
W
˚C  
Ω
Ptot  
Tj  
RDS(ON)  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
mb  
gate  
2
drain  
g
3
source  
2
mb drain  
1
3
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
60  
60  
V
V
Drain-gate voltage  
RGS = 20 kΩ  
-
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
-
-
30  
V
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
15  
A
ID  
-
11  
A
IDM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
60  
A
-
- 55  
-
60  
W
˚C  
˚C  
175  
175  
-
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
-
-
-
2.5  
-
K/W  
mounting base  
Thermal resistance junction to  
ambient  
minimum footprint,  
FR4 board (see fig. 18).  
50  
K/W  
February 1996  
1
Rev 1.000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK463-100A NXP

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