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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 19 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 19 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 150 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 255 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 90 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK466-200A,118 | NXP |
获取价格 |
19A, 200V, 0.16ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK466-200A118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 19 A, 200 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK466-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK466-60A-T | NXP |
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TRANSISTOR 52 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK466-60H | NXP |
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60A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| BUK466-60H-T | NXP |
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TRANSISTOR 60 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK472-100A | NXP |
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PowerMOS transistor Isolated version of BUK452-100A/B |
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| BUK472-100A,127 | NXP |
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6.6A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| BUK472-100A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 6.6 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FE |
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| BUK472-100B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Isolated version of BUK452-100A/B |
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