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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.4 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK474-500B | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUK474-600B | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUK474-60H | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK474-800A | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUK474-800B | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUK475-100A | NXP |
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PowerMOS transistor Isolated version of BUK455-100A/B |
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| BUK475-100B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Isolated version of BUK455-100A/B |
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| BUK475-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Isolated version of BUK455-200A/B |
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| BUK475-200A,127 | NXP |
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7.6A, 200V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| BUK475-200A127 | NXP |
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TRANSISTOR 7.6 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FE |
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