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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK481-100A-T
BUK481-100A-T PDF预览

BUK481-100A-T

更新时间： 2024-09-16 13:02:19
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
TRANSISTOR 1 A, 100 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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BUK481-100A-T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.82
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：10 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：25 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：40 ns
最大开启时间（吨）：45 nsBase Number Matches：1

BUK481-100A-T 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product Specification  
PowerMOS transistor  
BUK481-100A  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope suitable for surface  
mount applications.  
The device is intended for use in  
automotive and general purpose  
switching applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
100  
1.0  
V
A
W
˚C  
Ω
Ptot  
Tj  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
1.5  
150  
0.80  
RDS(ON)  
resistance;  
VGS = 10 V  
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
4
gate  
2
drain  
g
3
source  
4
drain (tab)  
2
3
1
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
100  
100  
30  
V
V
Drain-gate voltage  
RGS = 20 kΩ  
-
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction Temperature  
-
-
V
Tamb = 25 ˚C  
Tamb = 100 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
Tamb = 25 ˚C  
-
-
1
A
ID  
-
0.6  
4
1.5  
150  
150  
A
IDM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
A
-
- 55  
-
W
˚C  
˚C  
-
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX. UNIT  
Rth j-b  
Rth j-amb  
From junction to board1  
From junction to ambient  
Mounted on any PCB  
Mounted on PCB of Fig.17  
-
-
50  
-
-
85  
K/W  
K/W  
1 Temperature measured 1-3 mm from tab.  
January 1998  
1
Rev 1.000  
12345678

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与BUK481-100A-T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK481-100AT/R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223
BUK481-60A NXP

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 		PowerMOS transistor
BUK481-60AT/R ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-223
BUK482-100 TI

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 		1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK482-100/S62Z TI

获取价格

 		1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK482-100A NXP

获取价格

 		PowerMOS transistor
BUK482-100AT/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | SOT-223
BUK482-200A NXP

获取价格

 		PowerMOS transistor
BUK482-200A,115 NXP

获取价格

 		2A, 200V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK482-200A,135 NXP

获取价格

 		2A, 200V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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