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BUK482-200A

更新时间： 2024-11-08 22:32:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 54K
描述
PowerMOS transistor

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BUK482-200A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：50 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：8.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：70 ns最大开启时间（吨）：60 ns
Base Number Matches：1

BUK482-200A 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistor  
BUK482-200A  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a  
plastic envelope suitable for surface  
mounting featuring high avalanche  
energy capability, stable blocking  
voltage, fast switching and high  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Drain-source on-state resistance  
200  
2.0  
8.3  
0.9  
V
A
W
Ω
Ptot  
RDS(ON)  
thermal  
cycling  
performance.  
Intended for use in Switched Mode  
Power Supplies (SMPS) and general  
purpose switching applications.  
PINNING - SOT223  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
4
gate  
2
drain  
g
3
source  
4
drain (tab)  
2
3
1
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
-
-
-
-
200  
200  
30  
2.0  
1.3  
8.0  
V
V
V
A
A
A
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
RGS = 20 kΩ  
Tsp = 25 ˚C  
Tsp = 100 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
IDM  
Drain current (pulse peak  
value)  
Source-drain diode current  
(DC)  
Source-drain diode current  
(pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction Temperature  
IDR  
Tsp = 25 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
Tsp = 25 ˚C  
-
-
2.0  
8.0  
A
A
IDRM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
-55  
-
8.3  
150  
150  
W
˚C  
˚C  
AVALANCHE LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
WDSS  
Drain-source non-repetitive ID = 2 A ; VDD ≤ 50 V ; VGS = 10 V ;  
unclamped inductive turn-off RGS = 50 Ω  
energy  
Tj = 25˚C prior to surge  
Tj = 100˚C prior to surge  
-
-
50  
8
mJ  
mJ  
January 1998  
1
Rev 1.000  
12345678

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与BUK482-200A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK482-200A,115 NXP

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 		2A, 200V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK482-200A,135 NXP

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 		2A, 200V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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 		TRANSISTOR 2 A, 200 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
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 		TRANSISTOR 3.2 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
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