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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT-223 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.86 | 雪崩能效等级（Eas）： | 10 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 25 pF |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 40 ns | 最大开启时间（吨）： | 45 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK481-100A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 100 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK481-100AT/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | SOT-223 |
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| BUK481-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK481-60AT/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SOT-223 |
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| BUK482-100 | TI |
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1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK482-100/S62Z | TI |
获取价格 |
1.8A, 100V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK482-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK482-100AT/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.8A I(D) | SOT-223 |
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| BUK482-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK482-200A,115 | NXP |
获取价格 |
2A, 200V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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