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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 150 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 240 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 70 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK475-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Isolated version of BUK455-200A/B |
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| BUK475-200A,127 | NXP |
获取价格 |
7.6A, 200V, 0.23ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| BUK475-200A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 7.6 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FE |
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| BUK475-200B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Isolated version of BUK455-200A/B |
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| BUK475-200B,127 | NXP |
获取价格 |
7A, 200V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
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| BUK475-200B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 7 A, 200 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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| BUK475-400B | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUK475-500B | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUK475-600B | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| BUK475-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Isolated version of BUK455-60A/B |
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