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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 19 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 76 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK466-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
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| BUK466-60A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 52 A, 60 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK466-60H | NXP |
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60A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| BUK466-60H-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 60 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK472-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Isolated version of BUK452-100A/B |
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| BUK472-100A,127 | NXP |
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6.6A, 100V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| BUK472-100A127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 6.6 A, 100 V, 0.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FE |
|
| BUK472-100B | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor Isolated version of BUK452-100A/B |
|
| BUK472-100B,127 | NXP |
获取价格 |
6.1A, 100V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN |
|
| BUK472-100B127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 6.1 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET |
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