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BUK463-100A-T PDF预览

BUK463-100A-T

更新时间： 2024-11-05 21:16:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 60K
描述
TRANSISTOR 14 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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BUK463-100A-T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：70 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：100 pFJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：145 ns最大开启时间（吨）：60 ns
Base Number Matches：1

BUK463-100A-T 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
PowerMOS transistor  
BUK463-100A  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
field-effect power transistor in a plastic  
envelope suitable for surface mount  
applications.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
resistance  
100  
14  
V
A
W
˚C  
Ω
VDS  
ID  
The device is intended for use in  
Switched Mode Power Supplies  
(SMPS), motor control, welding,  
DC/DC and AC/DC converters, and in  
general purpose switching  
75  
Ptot  
Tj  
175  
0.16  
RDS(ON)  
applications.  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
mb  
gate  
2
drain  
g
3
source  
2
mb drain  
1
3
s
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
Drain-source voltage  
-
-
100  
100  
30  
V
V
Drain-gate voltage  
RGS = 20 kΩ  
-
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage temperature  
Junction temperature  
-
-
V
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
-
14  
A
ID  
-
10  
A
IDM  
Ptot  
Tstg  
Tj  
-
56  
A
-
- 55  
-
75  
W
˚C  
˚C  
175  
175  
-
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN. TYP. MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to minimum footprint  
ambient FR4 board (see fig. 18)  
-
-
-
2
-
K/W  
50  
K/W  
February 1996  
1
Rev 1.000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK463-60A NXP

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