5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 26 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 104 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK465-100A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 26 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK465-200A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK465-200A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK465-60A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK465-60A-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 41 A, 60 V, 0.038 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK465-60H | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK465-60H-T | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 45 A, 60 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK466-100A | NXP |
获取价格 |
PowerMOS transistor |
|
| BUK466-100A,118 | NXP |
获取价格 |
34A, 100V, 0.057ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| BUK466-100A118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 34 A, 100 V, 0.057 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
